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二维材料 —— 半导体 > 砷化锗(GeAs)
砷化锗(GeAs)
二维材料
砷化锗(GeAs)是一种各向异性的半导体材料，沿0001方向高度结晶，非常好剥离。
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名称 |
砷化锗(GeAs) |
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规格尺寸 |
横向尺寸：1mm |
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熔点(℃) |
— |
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纯度(%) |
99.9999 |
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材料性质 |
半导体材料 |
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晶体特征 |
— |
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晶体结构 |
单斜晶系 |
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晶格常数 |
a=0.383nm，b=0.853nm，c=0.99nm，α=104.4°，β=90°，γ=102.97° |
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生长方法 |
高压熔体生长 |
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备注 |
— |
