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二维材料 —— 半导体 > 硫化锗(GeS)
硫化锗(GeS)
半导体
GeS是一种半导体，其间接带隙为1.6eV,层间通过范德华力相互作用堆叠在一起，可机械剥离成二维单层。GeS晶体呈矩形，具有金属外观。
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名称 |
硫化锗(GeS) |
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规格尺寸 |
横向尺寸：6-8mm，厚度：0.1-0.4mm |
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熔点(℃) |
645 |
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纯度(%) |
＞99.995 |
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材料性质 |
半导体材料 |
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晶体特征 |
Eg：1.6ev |
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晶体结构 |
斜方晶系 |
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晶格常数 |
a=1.450nm， b=0.364nm，c=0.430nm，α=γ=β=90° |
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生长方法 |
CVT 化学气相传输法 |
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备注 |
— |
