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单晶
Al > 氮化铝单晶
氮化铝单晶
单晶
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名称 |
氮化铝单晶 |
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分子式 |
AlN |
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CAS |
24304-00-5 |
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生长方法 |
物理气相沉积 |
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晶体结构 |
六方，铅锌矿型结构 |
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晶格常数 |
a=3.11Å，c=4.98Å |
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熔点(℃) |
2750 |
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密度(g/cm3) |
3.23 |
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表面努氏硬度 |
800 |
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折射率(nD) |
2.1-2.2 |
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导带类型 |
直接带隙 |
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禁带宽度(eV) |
6.28 |
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热导率(W/mK) |
320 |
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电子迁移率(V·s/cm2) |
1100 |
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化学稳定性 |
不溶于水 |
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颜色及外观 |
白色至浅黄色晶体 |
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常规尺寸 |
10*10mm,5*5mm,最大 50.8mm直径，可定制 |
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常规晶向 |
(0001) |
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抛光 |
铝极性面：化学抛光，≤0.5nm 氮极性面：机械抛光，≤1nm |
氮化铝作为第三代/第四代半导体材料的典型代表，具有超宽禁带，高热导率，高击穿场强，高电子迁移率，耐腐蚀、耐辐射等优越物理化学性能，特别适合于制造光电子器件、射频通信器件、高功率/高频电力电子器件等，是紫外LED、紫外探测器、紫外激光、5G高功率/高频射频、5G通信SAW/BAW器件等最佳衬底材料。
