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单晶
Ga > 氮化镓单晶
氮化镓单晶
单晶
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名称 |
氮化镓单晶 |
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分子式 |
GaN |
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CAS |
25617-97-4 |
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生长方法 |
HVPE |
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晶体结构 |
纤锌矿 |
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晶格常数Å |
a = 3.186, c = 5.186 |
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德拜温度(K) |
600 |
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熔点(℃) |
2500 |
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密度(g/cm3) |
6.15 |
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硬度(Gpa) |
10.8 |
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热导率(W/mK) |
1.3 |
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禁带宽度(eV) |
3.4 |
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透光范围(nm) |
360-7000 |
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介电常数 |
8.9 |
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折射率 |
2.429 |
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颜色及外观 |
透明晶体 |
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常规尺寸 |
10*10mm,2inch,3inch,4inch可定制 |
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常规晶向 |
C-plane（0001），其他晶向可定制 |
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抛光 |
Ga-抛光，N-抛光，双抛 |
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掺杂 |
Ge, Si(N型），Fe（半绝缘），Mg(P型） |
作为三五族直接带隙半导体，GaN主要用于：LED；晶体三极管；雷达；作为MOCVD的衬底
