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High purity materials
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单晶
Mg > 氧化镁单晶
氧化镁单晶
单晶
名称 |
氧化镁单晶 |
分子式 |
MgO |
CAS |
1309-48-4 |
生长方法 |
弧熔法 |
晶体生长方向 |
近 |
晶体结构 |
体心立方,Fm3m |
晶格常数 |
a=4.212Å |
熔点(℃) |
2800 |
密度(g/cm3) |
3.6 |
硬度(Mohs) |
5.5 |
热膨胀系数(/K) |
8×10–6 |
电阻率(Ohm·cm) |
> 1017 |
禁带宽度(eV) |
7.8 |
介电常数 |
9.5 |
磁化率χ(cm3/mol) |
−10.2x10−6 |
折射率(nD) |
1.7355 |
化学稳定性 |
高度耐火绝缘 |
颜色及外观 |
透明无色 |
常规尺寸 |
10×10mm、10×5mm、10×2mm、5x5mm可定制 |
常规晶向 |
(100)、(110)、(111) |
抛光 |
单面或双面抛光 |
掺杂 |
Fe,Ti,Ni,Cr,V,Cu,Mn,Zn,Co,其他掺杂可以定制 |
用于制作磁学薄膜、半导体薄膜、光学薄膜和高温超导薄膜等,也可用于制作移动通讯设备所需的高温超导微波滤波器等器件,是重要的超导薄膜单晶基片。