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单晶
Ga > 砷化镓单晶
砷化镓单晶
单晶
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名称 |
砷化镓单晶 |
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分子式 |
GaAs |
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CAS |
1303-00-0 |
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生长方法 |
垂直布里奇曼法 |
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晶体结构 |
闪锌矿结构, F-43m |
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晶格常数 |
a=5.65315 Å |
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解理面 |
(110) |
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熔点(℃) |
1238 |
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密度(g/cm3) |
5.32 |
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硬度(Mohs) |
4-5 |
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折射率(nD) |
3.66 |
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禁带宽度(eV) |
1.441 |
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电子迁移率(V·s/cm2) |
~9000 |
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介电常数 |
13.1 |
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德拜温度(K) |
360 |
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禁带宽度(eV) |
1.424 |
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折射率 |
3.3(红外） |
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压电常数(Cm-2) |
e14= -0.16 |
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磁化率χ(cm3/mol) |
−16.2*10−6 |
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化学稳定性 |
不溶于水，空气中稳定 |
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颜色及外观 |
黑灰色 |
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常规尺寸 |
2inch、4inch、10×10mm、10×5mm、5x5mm可定制 |
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常规晶向 |
(100)、(110)、(111) |
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抛光 |
单面或双面抛光 |
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掺杂 |
Si掺杂，为N型导电 |
