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二维材料 —— 半导体 > 硒化亚锡(SnSe)
硒化亚锡(SnSe)
二维材料
硒化亚锡(SnSe) 具有层状结构，层间耦合较弱，可以剥离成单层 ，每一个单层的厚度为4个原子(Se-Sn-Sn-Se) 约为0.9-1.0nm. 其块材间接带隙约为0.9 eV，直接带隙为1.25eV。加高压后，会从半导体转变成超导体。
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名称 |
硒化亚锡(SnSe) |
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规格尺寸 |
cm级 |
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熔点(℃) |
861 |
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纯度(%) |
99.9999 |
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材料性质 |
热电半导体材料 |
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晶体特征 |
— |
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晶体结构 |
斜方晶系 |
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晶格常数 |
a=0.422nm，b=0.452nm，c=1.180nm，α=γ=β=90° |
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生长方法 |
布里奇曼生长技术 |
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备注 |
— |
*我们的单晶在生长后会经过XRD, EDX, Raman等手段进行表征，如有需要，可以跟我们销售人员索取库存产品的检测报告。
