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二维材料 —— 半导体 > 硒化锗(GeSe)
硒化锗(GeSe)
二维材料
GeSe是一种间接带隙约为1.1eV的半导体。层间通过范德华力相互作用堆叠在一起，可机械剥离成二维单层。GeSe晶体呈矩形并具有金属外观。
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名称 |
硒化锗(GeSe) |
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规格尺寸 |
横向尺寸：6-8mm，厚度：0.1-0.4mm |
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熔点(℃) |
667 |
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纯度(%) |
＞99.995 |
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材料性质 |
半导体材料 |
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晶体特征 |
Eg：1.1ev |
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晶体结构 |
斜方晶系 |
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晶格常数 |
a=0.383nm， b=0.440nm，c=1.078nm，α=γ=β=90° |
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生长方法 |
CVT 化学气相传输法 |
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备注 |
— |
*我们的单晶在生长后会经过XRD, EDX, Raman等手段进行表征，如有需要，可以跟我们销售人员索取库存产品的检测报告。
