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二维材料 —— 半导体 > 二硫化钨(2H-WS2)
二硫化钨(2H-WS2)
半导体
2H-WS2是一种间接带隙约为1.3 eV的半导体，单层2H-WS2具有直接带隙，层间通过范德华力相互作用堆叠在一起，可机械剥离成二维单层。2H-WS2晶体呈六边形形状，并具有金属外观。 2H WS2是n型半导体，载流子浓度~1014cm-3。
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名称 |
二硫化钨(2H-WS2) |
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规格尺寸 |
横向尺寸：8-10mm |
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熔点(℃) |
— |
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纯度(%) |
＞99.995 |
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材料性质 |
半导体材料 |
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晶体特征 |
Eg：1.3ev |
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晶体结构 |
六方晶系 |
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晶格常数 |
a=b=0.315nm，c=1.227nm，α=β=90°，γ=120° |
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生长方法 |
分子束外延，化学气相沉积 |
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备注 |
分解温度是1250℃ |
